近日，在西安举行的第二十三届全国半导体物理学术会议上，密西根学院但亚平课题组博士生刘欢展示的题为“深冷处理的掺铒硅室温通讯波段发光机理研究”（The photoluminescence mechanism of erbium-doped silicon processed by deep-cooling method）的科研海报从众多的参会者中脱颖而出，获得“优秀墙报奖”。
博士生刘欢获优秀墙报奖
掺铒硅是实现通讯波段的硅基集成激光的重要体系之一。铒，作为一种稀土元素，在掺铒光纤放大器（EDFA）中有着成熟的运用，但在单晶硅中，其固溶度不高，导致发光效率不高。近期，但亚平课题组利用离子注入的非平衡方法，将远超固溶度两个量级的铒原子注入单晶硅中，并通过首创的特殊退火处理方式——深冷技术，修复大部分晶格缺陷的同时激活了铒离子。经过实验表征，相对于普通热退火技术，深冷处理后的样品激活率有了大大提升。这将为后续实现硅基集成的电致激光奠定坚实基础。
但亚平课题组参加第23届半导体物理学术会议
全国半导体物理学术会议由中国物理学会半导体物理专业委员会主办，最早由已故世界著名物理学家、国家最高科学技术奖获奖者黄昆院士于1978年倡导召开，每两年举行一次（奇数年召开），与两年一次的国际半导体物理会议（偶数年召开）交错进行。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流，把握国际重大前沿领域的发展动向，提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。今年的会议云集了业界20余位院士，及政府领导、科研单位、高校知名专家学者等，规模超2000人。
